- - SSD-накопители на основе 3D V-NAND от компании Samsung

SSD-накопители на основе 3D V-NAND от компании Samsung

SSD-накопители на основе 3D V-NAND от компании SamsungКорпорация Samsung представила SSD-накопители которые выполнены по новой технологии вертикальной памяти - "3D V-NAND".

Данная методика использует структуру вертикальных ячеек, технологию "3D Charge Trap Flash" и вертикальных межсоединений, которые пронизывают трехмерный массив ячеек. В сравнении с обычной flash-памятью, "3D V-NAND" способствует увеличению скорости передачи информации (до 2-х раз), а также увеличивает надежность функционирования накопителей (до 10-ти раз).

Представленные твердотельные накопители относятся к корпоративному классу, соответственно в первую очередь, они предназначаются для работы в серверах и для использования в оборудовании информационных центров. Устройства изготовлены в форм-факторе 2.5 дюйма, их габариты - 100х70х7 мм, подключение к персональному компьютеру производится через интерфейс "Serial ATA 3.0", емкость новых SSD-накопителей - 480 и 960 Gb.

Производитель не сообщает показатели скорости передачи данных, но отмечает, что в режиме произвольной и последовательной записи, быстродействие новинок на 20% выше в сравнении с обычными твердотельными накопителями.

О стоимости "Samsung 3D V-NAND" пока нет никакой информации.

Комментариев пока нет, добавьте свой!

Ваш аватар
Вы вошли как гость:
Полужирный Наклонный текст Подчеркнутый текст Зачеркнутый текст | Выравнивание по левому краю По центру Выравнивание по правому краю | Вставка смайликов Выбор цвета | Скрытый текст Вставка цитаты Преобразовать выбранный текст из транслитерации в кириллицу Вставка спойлера

Вопрос: 2x2 =

Ответ: