Корпорация Samsung представила SSD-накопители которые выполнены по новой технологии вертикальной памяти - "3D V-NAND".Данная методика использует структуру вертикальных ячеек, технологию "3D Charge Trap Flash" и вертикальных межсоединений, которые пронизывают трехмерный массив ячеек. В сравнении с обычной flash-памятью, "3D V-NAND" способствует увеличению скорости передачи информации (до 2-х раз), а также увеличивает надежность функционирования накопителей (до 10-ти раз).
Представленные твердотельные накопители относятся к корпоративному классу, соответственно в первую очередь, они предназначаются для работы в серверах и для использования в оборудовании информационных центров. Устройства изготовлены в форм-факторе 2.5 дюйма, их габариты - 100х70х7 мм, подключение к персональному компьютеру производится через интерфейс "Serial ATA 3.0", емкость новых SSD-накопителей - 480 и 960 Gb.
Производитель не сообщает показатели скорости передачи данных, но отмечает, что в режиме произвольной и последовательной записи, быстродействие новинок на 20% выше в сравнении с обычными твердотельными накопителями.
О стоимости "Samsung 3D V-NAND" пока нет никакой информации.